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Référence fabricant | BSO150N03 |
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Numéro de pièce future | FT-BSO150N03 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSO150N03 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 9.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | PG-DSO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO150N03 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSO150N03-FT |
NTMFD4C86NT3G
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NTMFD4C87NT1G
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2N7002BKV,115
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NX1029X,115
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BSS84AKV,115
Nexperia USA Inc.
A54SX16P-1TQ144
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XC7A15T-3FTG256E
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XC6SLX25-N3FTG256I
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XC4044XL-3HQ304C
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
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A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8L
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A42MX16-1PQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
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5CEFA5U19C6N
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