maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BSO150N03
Référence fabricant | BSO150N03 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSO150N03 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSO150N03 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Standard |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7.6A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 9.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 25µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1890pF @ 15V |
Puissance - Max | 1.4W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | PG-DSO-8 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSO150N03 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSO150N03-FT |
NTMFD4C86NT3G
ON Semiconductor
NTMFD4C87NT1G
ON Semiconductor
NTMFD4C87NT3G
ON Semiconductor
NTMFD4C88NT1G
ON Semiconductor
NTMFD4C88NT3G
ON Semiconductor
NX3020NAKV,115
Nexperia USA Inc.
2N7002BKV,115
Nexperia USA Inc.
NX1029X,115
Nexperia USA Inc.
PMDT290UCE,115
Nexperia USA Inc.
BSS84AKV,115
Nexperia USA Inc.