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BSO051N03MS G Image

Infineon Technologies BSO051N03MS G

Numéro de pièce MFG
BSO051N03MS G
quantité disponible
25180 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSO051N03MS G.pdf
BSO051N03MS G Image

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BSO051N03MS G Caractéristiques

Référence fabricant BSO051N03MS G
Numéro de pièce future FT-BSO051N03MS G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSO051N03MS G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 14A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4300pF @ 15V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.56W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-DSO-8
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSO051N03MS G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSO051N03MS G-FT

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