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Référence fabricant | BSM75GB120DN2HOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM75GB120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM75GB120DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Half Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 105A |
Puissance - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1.5mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 5.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GB120DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM75GB120DN2HOSA1-FT |
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
EX64-TQ64A
Microsemi Corporation
EPF8820ATC144-2N
Intel
LFE2-12SE-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40I3LN
Intel
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
XC7VX690T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7V585T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
M2GL060-1FGG676
Microsemi Corporation
5AGXFA5H4F35C5N
Intel