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Référence fabricant | BSM75GAR120DN2HOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM75GAR120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
Puissance - Max | 235W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 400µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM75GAR120DN2HOSA1-FT |
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation
APTGT75DH60T1G
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
10CL040YU484C8G
Intel
EP3CLS70U484C7
Intel
EP3SL200H780I3N
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10CL006YE144C8G
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40E2LG
Intel
5AGXMA7G4F35C5N
Intel
EPF8636AQC208-2
Intel