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Référence fabricant | BSM75GAR120DN2HOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM75GAR120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | Trench Field Stop |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
Puissance - Max | 235W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 400µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GAR120DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM75GAR120DN2HOSA1-FT |
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
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APTGT75A170D1G
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APTGT75DA120D1G
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APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
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APTGT75DH120TG
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APTGT75DH60T1G
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XC4010XL-09TQ144C
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A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX150-N3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
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EPF6010AFC256-2
Intel
EP4CE15E22I8L
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
LCMXO2-256ZE-3UMG64I
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LCMXO2280E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation