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Référence fabricant | BSM75GAL120DN2HOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM75GAL120DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM75GAL120DN2HOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Single Switch |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 105A |
Puissance - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 75A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 1.4mA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 5.5nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM75GAL120DN2HOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM75GAL120DN2HOSA1-FT |
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation
APTGT75A1202G
Microsemi Corporation
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75A120TG
Microsemi Corporation
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA5K3F35C4N
Intel
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FF1148C
Xilinx Inc.
LFXP15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC3B7F23C8N
Intel
10AX057N4F40I3LG
Intel
5AGXMA7G4F35C4N
Intel