maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM50GP60BOSA1
Référence fabricant | BSM50GP60BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM50GP60BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM50GP60BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Puissance - Max | 250W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.75V @ 15V, 25A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Contribution | Three Phase Bridge Rectifier |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 125°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM50GP60BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM50GP60BOSA1-FT |
APTGT50SK120D1G
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LFE5UM5G-85F-8BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30FC256-3NAA
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5SGXEABN1F45C2L
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XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160
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AGL125V5-FG144I
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EP4SGX70DF29C3N
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EP4CE115F29C8
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EP1C4F324C7N
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