maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM15GD120DN2E3224BOSA1
Référence fabricant | BSM15GD120DN2E3224BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM15GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 25A |
Puissance - Max | 145W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 15A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 1nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM15GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG68
Microsemi Corporation
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
EPF6016ATC100-1
Intel
10CL006YU256I7G
Intel
EP3SE110F1152I4N
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation