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Référence fabricant | BSM15GD120DN2BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM15GD120DN2BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM15GD120DN2BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Three Phase Inverter |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 25A |
Puissance - Max | 145W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3V @ 15V, 15A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 500µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 100pF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM15GD120DN2BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM15GD120DN2BOSA1-FT |
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT20X60T3G
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APTGT25A120D1G
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APTGT25A120T1G
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APTGT25DA120D1G
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APTGT25H120T1G
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APTGT25SK120D1G
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APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I4L
Intel
EP2AGX45DF25C6
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10AX032H3F34I2LG
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX24-TQG176I
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LCMXO640E-5M132C
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SCM153C8G
Intel
EP2SGX90FF1508C5N
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EP1C6Q240C7N
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EP1SGX40DF1020C7N
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