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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Image

Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1

Numéro de pièce MFG
BSM10GD120DN2E3224BOSA1
quantité disponible
95440 Pièces
Prix de référence
USD 45.528
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
- IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - IGBT - Modules
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSM10GD120DN2E3224BOSA1.pdf
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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Numéro de pièce future FT-BSM10GD120DN2E3224BOSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type IGBT -
Configuration Full Bridge
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 15A
Puissance - Max 80W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 10A
Courant - Coupure Collecteur (Max) 400µA
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 530pF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / caisse Module
Package d'appareils du fournisseur Module
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSM10GD120DN2E3224BOSA1-FT

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