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Infineon Technologies BSM10GD120DN2E3224BOSA1
- Numéro de pièce MFG
- BSM10GD120DN2E3224BOSA1
- quantité disponible
- 95440 Pièces
- Prix de référence
- USD 45.528
- Notre prix
- Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous
- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- - IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - IGBT - Modules
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- BSM10GD120DN2E3224BOSA1.pdf
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Caractéristiques
| Référence fabricant | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | - |
| BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Not For New Designs |
| Type IGBT | - |
| Configuration | Full Bridge |
| Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15A |
| Puissance - Max | 80W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
| Courant - Coupure Collecteur (Max) | 400µA |
| Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / caisse | Module |
| Package d'appareils du fournisseur | Module |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | BSM10GD120DN2E3224BOSA1-FT |
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