maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Référence fabricant | BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSM10GD120DN2E3224BOSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type IGBT | - |
Configuration | Full Bridge |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 15A |
Puissance - Max | 80W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 10A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 400µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 530pF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Module |
Package d'appareils du fournisseur | Module |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSM10GD120DN2E3224BOSA1-FT |
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation
APTGT20DDA60T3G
Microsemi Corporation
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
APA600-CQ208M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
EP3SL200F1517C4LN
Intel
XC5VSX95T-1FF1136C
Xilinx Inc.
XC7V585T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
XCKU3P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F31C5N
Intel
EP2AGZ225FF35C4N
Intel