maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSH103,235
Référence fabricant | BSH103,235 |
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Numéro de pièce future | FT-BSH103,235 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BSH103,235 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 850mA (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 500mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 400mV @ 1mA (Min) |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 24V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 540mW (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-236AB |
Paquet / caisse | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSH103,235 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSH103,235-FT |
PSMN004-36B,118
NXP USA Inc.
PSMN004-60B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN005-55B,118
NXP USA Inc.
PSMN005-75B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN008-75B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN009-100B,118
Nexperia USA Inc.
PSMN012-80BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN015-60BS,118
Nexperia USA Inc.
PSMN016-100BS,118
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PSMN030-150B,118
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