maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Matrices / BSD235NH6327XTSA1
Référence fabricant | BSD235NH6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSD235NH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSD235NH6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caractéristique FET | Logic Level Gate |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 950mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 950mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1.6µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.32nC @ 4.5V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 63pF @ 10V |
Puissance - Max | 500mW |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT363-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSD235NH6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSD235NH6327XTSA1-FT |
ECH8697R-TL-W
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ECH8693R-TL-W
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XC4020E-2HQ208I
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LCMXO2-4000ZE-3BG332C
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EP1S40F1508C7N
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