maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSC340N08NS3GATMA1
Référence fabricant | BSC340N08NS3GATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSC340N08NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSC340N08NS3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 7A (Ta), 23A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 9.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 756pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 32W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC340N08NS3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC340N08NS3GATMA1-FT |
IRF7832PBF
Infineon Technologies
IRF7832TR
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IRF7832Z
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A40MX02-VQG80M
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EX128-PTQG64
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5SGXEA7N1F40C2
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