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Infineon Technologies BSC340N08NS3GATMA1

Numéro de pièce MFG
BSC340N08NS3GATMA1
quantité disponible
54150 Pièces
Prix de référence
USD 0.242944
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 23A TDSON-8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
BSC340N08NS3GATMA1.pdf
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BSC340N08NS3GATMA1 Caractéristiques

Référence fabricant BSC340N08NS3GATMA1
Numéro de pièce future FT-BSC340N08NS3GATMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
BSC340N08NS3GATMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7A (Ta), 23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 12µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 756pF @ 40V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 2.5W (Ta), 32W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PG-TDSON-8
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSC340N08NS3GATMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange BSC340N08NS3GATMA1-FT

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