maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSC106N025S G
Référence fabricant | BSC106N025S G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSC106N025S G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSC106N025S G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 25V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Ta), 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta), 43W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC106N025S G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC106N025S G-FT |
BSC009NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC011N03LSIATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC014N04LSATMA1
Infineon Technologies
BSC014N06NSATMA1
Infineon Technologies
BSC015NE2LS5IATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC016N04LSGATMA1
Infineon Technologies