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Référence fabricant | BSC060P03NS3EGATMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BSC060P03NS3EGATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSC060P03NS3EGATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 17.7A (Ta), 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 81nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6020pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC060P03NS3EGATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC060P03NS3EGATMA1-FT |
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