maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / BSC031N06NS3GATMA1
Référence fabricant | BSC031N06NS3GATMA1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BSC031N06NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
BSC031N06NS3GATMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 93µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11000pF @ 30V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 139W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8 |
Paquet / caisse | 8-PowerTDFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSC031N06NS3GATMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BSC031N06NS3GATMA1-FT |
IRF7820TRPBF
Infineon Technologies
IRF7821GTRPBF
Infineon Technologies
IRF7821PBF
Infineon Technologies
IRF7821TR
Infineon Technologies
IRF7822PBF
Infineon Technologies
IRF7822TRPBF
Infineon Technologies
IRF7828PBF
Infineon Technologies
IRF7828TRPBF
Infineon Technologies
IRF7831PBF
Infineon Technologies
IRF7831TR
Infineon Technologies
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel