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Référence fabricant | BR25S640FJ-WE2 |
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Numéro de pièce future | FT-BR25S640FJ-WE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR25S640FJ-WE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | 20MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP-J |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25S640FJ-WE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR25S640FJ-WE2-FT |
MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
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Micron Technology Inc.
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR
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MT28EW128ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1HJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1HJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT
Micron Technology Inc.
MT28EW01GABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT28EW512ABA1LJS-0AAT TR
Micron Technology Inc.
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel