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Référence fabricant | BR25L160FVT-WE2 |
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Numéro de pièce future | FT-BR25L160FVT-WE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR25L160FVT-WE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 16Kb (2K x 8) |
Fréquence d'horloge | 5MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP-B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25L160FVT-WE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR25L160FVT-WE2-FT |
BR93G76FVT-3BGE2
Rohm Semiconductor
BR93G86FVT-3BGE2
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BR93L46RFVT-WE2
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BR93L56RFVT-WE2
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BR25S128FV-WE2
Rohm Semiconductor
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
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XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
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LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel