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Référence fabricant | BR25G512FJ-3GE2 |
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Numéro de pièce future | FT-BR25G512FJ-3GE2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR25G512FJ-3GE2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 512Kb (64K x 8) |
Fréquence d'horloge | 10MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP-J |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR25G512FJ-3GE2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR25G512FJ-3GE2-FT |
BR25H010FVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H020FVT-2CE2
Rohm Semiconductor
BR25H040FVT-2CE2
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BR25H128FVT-2ACE2
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BR25H320FVT-2CE2
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BR25H640FVT-2ACE2
Rohm Semiconductor
BR25H640FVT-2CE2
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BR93H46RFVT-2CE2
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BR93H76RFVT-2CE2
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XC2S100-5TQ144C
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XC7K355T-2FF901I
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