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Référence fabricant | BR24C02-RMN6TP |
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Numéro de pièce future | FT-BR24C02-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR24C02-RMN6TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Kb (256 x 8) |
Fréquence d'horloge | 100kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24C02-RMN6TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR24C02-RMN6TP-FT |
GD25Q80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC2V250-6FG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FGG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ208
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EP1K10TI100-2
Intel
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC7K325T-3FFG900E
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHE-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel