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Référence fabricant | BR24C02-RMN6TP |
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Numéro de pièce future | FT-BR24C02-RMN6TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR24C02-RMN6TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Kb (256 x 8) |
Fréquence d'horloge | 100kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 10ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | I²C |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SO |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR24C02-RMN6TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR24C02-RMN6TP-FT |
GD25Q80CSIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q80CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD05CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD10CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD20CTIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25WD40CTIG
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
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5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
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5SGXEB9R3H43C2L
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A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
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5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel