Référence fabricant | BR102 |
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Numéro de pièce future | FT-BR102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, BR-10 |
Package d'appareils du fournisseur | BR-10 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR102-FT |
KBL602G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL603G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL604G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU801G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
M5060SB1600
Sensata-Crydom
MSB08M-13
Diodes Incorporated
MSB12M-13
Diodes Incorporated
MSB15MH-13
Diodes Incorporated
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel