Référence fabricant | BR1010 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BR1010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BR1010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, BR-10 |
Package d'appareils du fournisseur | BR-10 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BR1010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BR1010-FT |
KBL601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL602G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL603G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL604G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU801G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
M5060SB1600
Sensata-Crydom
MSB08M-13
Diodes Incorporated
MSB12M-13
Diodes Incorporated
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1X
Intel
EPF10K200SFC484-2X
Intel
EP1K50FC256-2N
Intel
5SGXEA7K1F40I2N
Intel
A1020B-1PLG44I
Microsemi Corporation
LFXP6E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX22CF19C7
Intel