maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / BQ4014YMB-85
Référence fabricant | BQ4014YMB-85 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BQ4014YMB-85 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4014YMB-85 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 85ns |
Temps d'accès | 85ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4014YMB-85 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4014YMB-85-FT |
W632GG6KB15I
Winbond Electronics
W632GG6KB15I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB15J
Winbond Electronics
W632GU6KB-11
Winbond Electronics
W632GU6KB-12
Winbond Electronics
W632GU6KB-12 TR
Winbond Electronics
W632GU6KB-15
Winbond Electronics
W632GU6KB-15 TR
Winbond Electronics
W632GU6KB11I
Winbond Electronics
W632GU6KB12I
Winbond Electronics
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel