maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / BQ4014MB-120
Référence fabricant | BQ4014MB-120 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4014MB-120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4014MB-120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 120ns |
Temps d'accès | 120ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-DIP Module (18.42x52.96) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4014MB-120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4014MB-120-FT |
W632GG6KB12I
Winbond Electronics
W632GG6KB12I TR
Winbond Electronics
W632GG6KB12J
Winbond Electronics
W632GG6KB15I
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W632GG6KB15I TR
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W632GG6KB15J
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W632GU6KB-11
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W632GU6KB-12
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W632GU6KB-12 TR
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W632GU6KB-15
Winbond Electronics
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
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A1010B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel