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Référence fabricant | BQ4013YMA-85 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4013YMA-85 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4013YMA-85 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 85ns |
Temps d'accès | 85ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013YMA-85 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4013YMA-85-FT |
W632GG6KB-18
Winbond Electronics
W632GG6KB11I
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W632GG6KB12I
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LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
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XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
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ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
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EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel