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Référence fabricant | BQ4013YMA-70N |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4013YMA-70N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4013YMA-70N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 1Mb (128K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 32-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 32-DIP Module (18.42x42.8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4013YMA-70N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4013YMA-70N-FT |
W632GG6KB-15 TR
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W632GG6KB-18
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W632GG6KB11I
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W632GU6KB-11
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XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation