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Référence fabricant | BQ4011MA-150 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4011MA-150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4011MA-150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 256Kb (32K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 150ns |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.75V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4011MA-150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4011MA-150-FT |
W632GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GU6MB-12
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W631GG6MB-12 TR
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LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel