maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / BQ4010YMA-85
Référence fabricant | BQ4010YMA-85 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BQ4010YMA-85 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4010YMA-85 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 85ns |
Temps d'accès | 85ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-85 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4010YMA-85-FT |
W631GG6MB-12
Winbond Electronics
W632GG6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-11
Winbond Electronics
W631GG6MB-15
Winbond Electronics
W632GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GG6MB-12 TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-15 TR
Winbond Electronics
W631GU6MB-12 TR
Winbond Electronics
W632GG6MB-09
Winbond Electronics
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel