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Référence fabricant | BQ4010YMA-70 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4010YMA-70 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4010YMA-70 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-70 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4010YMA-70-FT |
W632GU6KB15I TR
Winbond Electronics
W631GG6MB-11 TR
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W631GG6MB-12
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W632GG6MB-12
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W631GG6MB-11
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W631GG6MB-15
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W632GU6MB-12
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W631GU6MB-12
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W631GG6MB-15 TR
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XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
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A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
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EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
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LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
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