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Référence fabricant | BQ4010YMA-150N |
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Numéro de pièce future | FT-BQ4010YMA-150N |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ4010YMA-150N Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | NVSRAM |
La technologie | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Taille mémoire | 64Kb (8K x 8) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 150ns |
Temps d'accès | 150ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 4.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ4010YMA-150N Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ4010YMA-150N-FT |
W632GU6KB12J
Winbond Electronics
W632GU6KB15I
Winbond Electronics
W632GU6KB15I TR
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W631GG6MB-11 TR
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W631GG6MB-12
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W632GG6MB-12
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W631GG6MB-11
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W631GG6MB-15
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W632GU6MB-12
Winbond Electronics
W631GU6MB-12
Winbond Electronics
LCMXO2280C-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A12T-1CSG325I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FG484
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484C6
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
EP4SGX530KH40C2
Intel
EP4SE820H35I3
Intel
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
AGL060V2-QNG132I
Microsemi Corporation