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Référence fabricant | BQ32000DR |
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Numéro de pièce future | FT-BQ32000DR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BQ32000DR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Clock/Calendar |
Caractéristiques | Leap Year, Square Wave Output, Trickle-Charger |
Taille mémoire | - |
Format de l'heure | HH:MM:SS (24 hr) |
Format de date | YY-MM-DD-dd |
Interface | I²C, 2-Wire Serial |
Tension - Alimentation | 3V ~ 3.6V |
Tension - Alimentation, batterie | 1.4V ~ 3.6V |
Actuel - Indication de l'heure (Max) | 100µA @ 3.3V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOIC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ32000DR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ32000DR-FT |
1339AC-31SRGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337AGCSRGI
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337AGCSRGI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337GCSRI
IDT, Integrated Device Technology Inc
1337GCSRI8
IDT, Integrated Device Technology Inc
M41ST84WMQ6E
STMicroelectronics
M41ST84WMQ6F
STMicroelectronics
M41ST84YMQ6E
STMicroelectronics
M41T94MQ6E
STMicroelectronics
PCF2123TS/1,118
NXP USA Inc.
XC6SLX9-3FT256C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CGX110CF23C8N
Intel
5SGXMA5N1F45I2N
Intel
LFE3-95E-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N2F40I2LG
Intel
EP2AGX95EF35C5NES
Intel
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016QC208-2
Intel