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Référence fabricant | BQ27510DRZR-G2 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ27510DRZR-G2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Impedance Track™ |
BQ27510DRZR-G2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Une fonction | Battery Monitor |
Chimie de la batterie | Lithium-Ion |
Nombre de cellules | 1 |
Protection contre les pannes | - |
Interface | I²C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | 12-VFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 12-SON (2.5x4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ27510DRZR-G2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ27510DRZR-G2-FT |
AS8506C-BQFM
ams
AS8506C-BQFM-A
ams
AS8506C-BQFM-S
ams
MAX11080GUU/V+
Maxim Integrated
MAX11068GUU+
Maxim Integrated
MAX11068GUU+T
Maxim Integrated
MAX11068GUU/V+
Maxim Integrated
MAX11068GUU/V+T
Maxim Integrated
MAX11080GUU+
Maxim Integrated
MAX11080GUU+T
Maxim Integrated
XC6SLX150T-3CSG484C
Xilinx Inc.
XA3S400A-4FGG400Q
Xilinx Inc.
LFE5UM-45F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F45I2N
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XA7A50T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
XC7A12T-3CPG236E
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-2X
Intel