maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / PMIC - Gestion de la batterie / BQ27410DRZR-G1
Référence fabricant | BQ27410DRZR-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-BQ27410DRZR-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Impedance Track™ |
BQ27410DRZR-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Not For New Designs |
Une fonction | Battery Monitor |
Chimie de la batterie | Lithium Cobalt Oxide |
Nombre de cellules | 1 |
Protection contre les pannes | - |
Interface | I²C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Paquet / caisse | 12-VFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 12-SON (2.5x4) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BQ27410DRZR-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BQ27410DRZR-G1-FT |
TPS650231RSBT
Texas Instruments
TPS650231RSBR
Texas Instruments
TPS65023QRSBRQ1
Texas Instruments
TPS65023RSBRG4
Texas Instruments
ACT2803QJ-T
Active-Semi International Inc.
ACT2803QJ-T0435
Active-Semi International Inc.
BD99954MWV-E2
Rohm Semiconductor
AS8506-BQFM
ams
AS8506-BQFP
ams
AS8506C-BQFM
ams
LCMXO2-256HC-6TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50E-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG484I
Microsemi Corporation
EP1AGX35CF484I6
Intel
5SGXMA7K3F40I3N
Intel
5AGXBA3D4F27C5N
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
AX1000-1FGG676M
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-8FN672ITW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29C4
Intel