maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs optiques - Photodiodes / BP 104 S-Z
Référence fabricant | BP 104 S-Z |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BP 104 S-Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BP 104 S-Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Longueur d'onde | 850nm |
Couleur - Améliorée | - |
Gamme spectrale | 400nm ~ 1100nm |
Type de diode | PIN |
Responsivité @ nm | - |
Temps de réponse | 20ns |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Sombre (Typ) | 2nA |
Zone active | 4.84mm² |
Angle de vue | 120° |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 2-SMD, Z-Bend |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BP 104 S-Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BP 104 S-Z-FT |
BPV23NF
Vishay Semiconductor Opto Division
BPV23F
Vishay Semiconductor Opto Division
BPV22NF
Vishay Semiconductor Opto Division
BPV22F
Vishay Semiconductor Opto Division
BPV10NF
Vishay Semiconductor Opto Division
BPV10
Vishay Semiconductor Opto Division
VBPW34SR
Vishay Semiconductor Opto Division
VBPW34S
Vishay Semiconductor Opto Division
VBPW34FAS
Vishay Semiconductor Opto Division
VBP104SR
Vishay Semiconductor Opto Division
AT40K20AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S50AN-5FTG256C
Xilinx Inc.
APA1000-PQ208I
Microsemi Corporation
LAE5UM-25F-7BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3
Intel
EP3C25E144C8N
Intel
EP1AGX90EF1152C6N
Intel
EP4SE530H35C3NES
Intel
XC5VLX330T-1FF1738C
Xilinx Inc.
5SGSMD3H3F35I3LN
Intel