maison / des produits / Capteurs, transducteurs / Capteurs optiques - Photodiodes / BP 104 F
Référence fabricant | BP 104 F |
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Numéro de pièce future | FT-BP 104 F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BP 104 F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Longueur d'onde | 950nm |
Couleur - Améliorée | - |
Gamme spectrale | 800nm ~ 1100nm |
Type de diode | PIN |
Responsivité @ nm | - |
Temps de réponse | 20ns |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 20V |
Courant - Sombre (Typ) | 2nA |
Zone active | 4.84mm² |
Angle de vue | 120° |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 100°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial - 2 Leads |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BP 104 F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BP 104 F-FT |
PDB-C601-1-25
Advanced Photonix
PDB-V601-1
Advanced Photonix
PDB-V443.6
Advanced Photonix
PDB-V114
Advanced Photonix
PDB-V110
Advanced Photonix
PDB-V104
Advanced Photonix
PDB-C615-2
Advanced Photonix
PDB-C613-2
Advanced Photonix
PDB-C612-2
Advanced Photonix
PDB-C609-2
Advanced Photonix
XC7A25T-1CSG325I
Xilinx Inc.
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8
Intel
5SGXMA5N3F40I3LN
Intel
EP3SL340F1517I4L
Intel
LFE2M35SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN672E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBC356-3N
Intel
5SGSMD4H3F35I3LN
Intel