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Référence fabricant | BLP10H660PGY |
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Numéro de pièce future | FT-BLP10H660PGY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLP10H660PGY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 1GHz |
Gain | 18dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | 1.4µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 40mA |
Puissance - sortie | 60W |
Tension - nominale | 110V |
Paquet / caisse | SOT-1224-2 |
Package d'appareils du fournisseur | 4-HSOPF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP10H660PGY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLP10H660PGY-FT |
BF1105,215
NXP USA Inc.
BF1108,215
NXP USA Inc.
BF1201,215
NXP USA Inc.
BF1202,215
NXP USA Inc.
BF1211,215
NXP USA Inc.
BF1212,215
NXP USA Inc.
BF2030E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF904,215
NXP USA Inc.
BF904A,215
NXP USA Inc.
BF908,215
NXP USA Inc.
LCMXO256E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4VFX100-10FF1517I
Xilinx Inc.
XC2VP2-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-2FG484I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1CQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5CEFA7U19A7N
Intel
10AX066N1F40I1SG
Intel