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Référence fabricant | BLP10H660PGY |
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Numéro de pièce future | FT-BLP10H660PGY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLP10H660PGY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 1GHz |
Gain | 18dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | 1.4µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 40mA |
Puissance - sortie | 60W |
Tension - nominale | 110V |
Paquet / caisse | SOT-1224-2 |
Package d'appareils du fournisseur | 4-HSOPF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP10H660PGY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLP10H660PGY-FT |
BF1105,215
NXP USA Inc.
BF1108,215
NXP USA Inc.
BF1201,215
NXP USA Inc.
BF1202,215
NXP USA Inc.
BF1211,215
NXP USA Inc.
BF1212,215
NXP USA Inc.
BF2030E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF904,215
NXP USA Inc.
BF904A,215
NXP USA Inc.
BF908,215
NXP USA Inc.
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
XC3S200A-5FG320C
Xilinx Inc.
XC3S200-5VQG100C
Xilinx Inc.
5SGSMD8K2F40I2N
Intel
5SGXEB9R3H43C4N
Intel
A40MX04-2PL44I
Microsemi Corporation
XC7VX550T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
A3P400-2FGG144
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG144I
Microsemi Corporation