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Référence fabricant | BLP10H630PY |
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Numéro de pièce future | FT-BLP10H630PY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLP10H630PY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 1GHz |
Gain | 18dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | 1.4µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 20mA |
Puissance - sortie | 30W |
Tension - nominale | 110V |
Paquet / caisse | SOT-1223-2 |
Package d'appareils du fournisseur | 4-HSOPF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP10H630PY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLP10H630PY-FT |
A2T20H160W04NR3
NXP USA Inc.
A2T20H330W24NR6
NXP USA Inc.
A2T21H100-25SR3
NXP USA Inc.
A2T21H140-24SR3
NXP USA Inc.
A2T21H360-23NR6
NXP USA Inc.
A2T21H450W19SR6
NXP USA Inc.
A2T21S160-12SR3
NXP USA Inc.
A2T21S161W12SR3
NXP USA Inc.
A2T21S260-12SR3
NXP USA Inc.
A2T21S260W12NR3
NXP USA Inc.
A1415A-1PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40I3LN
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
10M04SCE144A7G
Intel
A42MX09-2PLG84I
Microsemi Corporation
5CEFA9U19I7N
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel
10AX115R1F40I1SG
Intel