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Référence fabricant | BLP10H6120PY |
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Numéro de pièce future | FT-BLP10H6120PY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLP10H6120PY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 1GHz |
Gain | 18dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | 1.4µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 80mA |
Puissance - sortie | 120W |
Tension - nominale | 110V |
Paquet / caisse | SOT-1223-2 |
Package d'appareils du fournisseur | 4-HSOPF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP10H6120PY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLP10H6120PY-FT |
A2T18S262W12NR3
NXP USA Inc.
A2T20H160W04NR3
NXP USA Inc.
A2T20H330W24NR6
NXP USA Inc.
A2T21H100-25SR3
NXP USA Inc.
A2T21H140-24SR3
NXP USA Inc.
A2T21H360-23NR6
NXP USA Inc.
A2T21H450W19SR6
NXP USA Inc.
A2T21S160-12SR3
NXP USA Inc.
A2T21S161W12SR3
NXP USA Inc.
A2T21S260-12SR3
NXP USA Inc.
XC6SLX4-L1TQG144C
Xilinx Inc.
XC4044XL-09HQ304C
Xilinx Inc.
AGLN030V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
EPF8282ATI100-3NGZ
Intel
EP2C15AF484C8N
Intel
EP3C16U256C7
Intel
EP3SL340F1517I3N
Intel
XC7A25T-L2CPG238E
Xilinx Inc.
A3P060-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1S80B956C7
Intel