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Référence fabricant | BLP10H6120PGY |
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Numéro de pièce future | FT-BLP10H6120PGY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLP10H6120PGY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 1GHz |
Gain | 18dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | 1.4µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 80mA |
Puissance - sortie | 120W |
Tension - nominale | 110V |
Paquet / caisse | SOT-1224-2 |
Package d'appareils du fournisseur | 4-HSOPF |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP10H6120PGY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLP10H6120PGY-FT |
BF1100,215
NXP USA Inc.
BF1101,215
NXP USA Inc.
BF1105,215
NXP USA Inc.
BF1108,215
NXP USA Inc.
BF1201,215
NXP USA Inc.
BF1202,215
NXP USA Inc.
BF1211,215
NXP USA Inc.
BF1212,215
NXP USA Inc.
BF2030E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF904,215
NXP USA Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
XCV1600E-7FG900C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG256
Microsemi Corporation
XC4VLX60-10FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34E3LG
Intel
10AX115H3F34E2LG
Intel
EP20K400BC652-1XV
Intel
5SGSMD4H3F35C2N
Intel