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Référence fabricant | BLP0427M9S20Z |
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Numéro de pièce future | FT-BLP0427M9S20Z |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLP0427M9S20Z Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 400MHz ~ 2.7GHz |
Gain | 19dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 1.4µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 100mA |
Puissance - sortie | 20W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | SOT-1482-1 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-1482-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLP0427M9S20Z Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLP0427M9S20Z-FT |
A2I25H060NR1
NXP USA Inc.
AFIC31025NR1
NXP USA Inc.
AFV121KGSR5
NXP USA Inc.
AFV141KGSR5
NXP USA Inc.
MMRF1312GSR5
NXP USA Inc.
MMRF1314GSR5
NXP USA Inc.
MMRF2010GNR1
NXP USA Inc.
MMRF2010NR1
NXP USA Inc.
MRF1535FNT1
NXP USA Inc.
MRF1550FNT1
NXP USA Inc.
EP1C3T144C7N
Intel
AGLE600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F23C8N
Intel
5SGXEA7K2F40C2
Intel
XC7VX550T-1FFG1927I
Xilinx Inc.
XC7K325T-2FB676I
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000HE-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I3
Intel