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Référence fabricant | BLC9H10XS-350AZ |
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Numéro de pièce future | FT-BLC9H10XS-350AZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLC9H10XS-350AZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 617MHz ~ 960MHz |
Gain | 19.5dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | 1.4µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 400mA |
Puissance - sortie | 350W |
Tension - nominale | 105V |
Paquet / caisse | SOT1273-1 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT1273-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLC9H10XS-350AZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLC9H10XS-350AZ-FT |
MMRF1314GSR5
NXP USA Inc.
MMRF2010GNR1
NXP USA Inc.
MMRF2010NR1
NXP USA Inc.
MRF1535FNT1
NXP USA Inc.
MRF1550FNT1
NXP USA Inc.
AFT20P140-4WNR3
NXP USA Inc.
MMRF1020-04NR3
NXP USA Inc.
AFT20P060-4NR3
NXP USA Inc.
AFV09P350-04NR3
NXP USA Inc.
MRF8VP13350NR3
NXP USA Inc.
A1415A-1PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FGG400C
Xilinx Inc.
M2GL005S-VFG256I
Microsemi Corporation
5SGSMD8K2F40I3LN
Intel
EP2AGZ350FH29I4N
Intel
10M04SCE144A7G
Intel
A42MX09-2PLG84I
Microsemi Corporation
5CEFA9U19I7N
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel
10AX115R1F40I1SG
Intel