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Référence fabricant | BLC9H10XS-300PY |
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Numéro de pièce future | FT-BLC9H10XS-300PY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLC9H10XS-300PY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 600MHz ~ 960MHz |
Gain | 21dB |
Tension - Test | 50V |
Note actuelle | 1.4µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 600mA |
Puissance - sortie | 300W |
Tension - nominale | 108V |
Paquet / caisse | SOT1273-1 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT1273-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLC9H10XS-300PY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLC9H10XS-300PY-FT |
MMRF2010NR1
NXP USA Inc.
MRF1535FNT1
NXP USA Inc.
MRF1550FNT1
NXP USA Inc.
AFT20P140-4WNR3
NXP USA Inc.
MMRF1020-04NR3
NXP USA Inc.
AFT20P060-4NR3
NXP USA Inc.
AFV09P350-04NR3
NXP USA Inc.
MRF8VP13350NR3
NXP USA Inc.
MRFE6VP6600NR3
NXP USA Inc.
BF2040E6814HTSA1
Infineon Technologies
XC6VLX130T-2FFG484I
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS100F484C8N
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
M2GL090-1FGG676
Microsemi Corporation
APA300-FGG144M
Microsemi Corporation
5CEBA5U19C8N
Intel
EP3C120F780C7
Intel