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Référence fabricant | BLC9G22LS-160VTZ |
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Numéro de pièce future | FT-BLC9G22LS-160VTZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLC9G22LS-160VTZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
Gain | 18.4dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 2.8µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 864mA |
Puissance - sortie | 35W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | SOT-1271-2 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT1271-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLC9G22LS-160VTZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLC9G22LS-160VTZ-FT |
MMRF1020-04NR3
NXP USA Inc.
AFT20P060-4NR3
NXP USA Inc.
AFV09P350-04NR3
NXP USA Inc.
MRF8VP13350NR3
NXP USA Inc.
MRFE6VP6600NR3
NXP USA Inc.
BF2040E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF998E6327HTSA1
Infineon Technologies
BF992,215
NXP USA Inc.
BF 5020 E6327
Infineon Technologies
BF 5030 E6327
Infineon Technologies
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
M2GL010T-1FG484
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
EP3SL200F1152I4
Intel
XC4006E-4PC84C
Xilinx Inc.
XC7VX415T-3FFG1927E
Xilinx Inc.
A40MX02-1PQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M20SE-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
Intel