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Référence fabricant | BLC9G22LS-160VTZ |
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Numéro de pièce future | FT-BLC9G22LS-160VTZ |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BLC9G22LS-160VTZ Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | LDMOS |
La fréquence | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
Gain | 18.4dB |
Tension - Test | 28V |
Note actuelle | 2.8µA |
Figure de bruit | - |
Courant - Test | 864mA |
Puissance - sortie | 35W |
Tension - nominale | 65V |
Paquet / caisse | SOT-1271-2 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT1271-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BLC9G22LS-160VTZ Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BLC9G22LS-160VTZ-FT |
MMRF1020-04NR3
NXP USA Inc.
AFT20P060-4NR3
NXP USA Inc.
AFV09P350-04NR3
NXP USA Inc.
MRF8VP13350NR3
NXP USA Inc.
MRFE6VP6600NR3
NXP USA Inc.
BF2040E6814HTSA1
Infineon Technologies
BF998E6327HTSA1
Infineon Technologies
BF992,215
NXP USA Inc.
BF 5020 E6327
Infineon Technologies
BF 5030 E6327
Infineon Technologies
AT40K10AL-1BQU
Microchip Technology
LFXP3C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX08A-1FG144I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
A14V25A-VQG100C
Microsemi Corporation
A54SX08-2FGG144
Microsemi Corporation
A42MX09-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE40F29I8LN
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