maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFU660F,115
Référence fabricant | BFU660F,115 |
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Numéro de pièce future | FT-BFU660F,115 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFU660F,115 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 5.5V |
Fréquence - Transition | 21GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz |
Gain | 12dB ~ 21dB |
Puissance - Max | 225mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 10mA, 2V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOT-343F |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DFP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFU660F,115 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFU660F,115-FT |
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