maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFR840L3RHESDE6327XTSA1
Référence fabricant | BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFR840L3RHESDE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 2.6V |
Fréquence - Transition | 75GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 0.5dB @ 450MHz |
Gain | 27dB |
Puissance - Max | 75mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 10mA, 1.8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR840L3RHESDE6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFR840L3RHESDE6327XTSA1-FT |
BFR93AW,115
NXP USA Inc.
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
BFR94AW,115
NXP USA Inc.
BFS17W,115
NXP USA Inc.
BFS17W,135
NXP USA Inc.
BFS505,115
NXP USA Inc.
BFS520,115
NXP USA Inc.
BFS520,135
NXP USA Inc.
BFS540,115
NXP USA Inc.
BFT92W,115
NXP USA Inc.
M7A3P1000-FG256
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C2N
Intel
10AX032E2F27E2LG
Intel
5SGSED8N2F45I2N
Intel
5SGXEB6R3F43I4N
Intel
LFXP10C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780C8
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Intel