maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFR 360L3 E6327
Référence fabricant | BFR 360L3 E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BFR 360L3 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFR 360L3 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 9V |
Fréquence - Transition | 14GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz |
Gain | 11.5dB ~ 16dB |
Puissance - Max | 210mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 15mA, 3V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-3-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR 360L3 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFR 360L3 E6327-FT |
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
BFR94AW,115
NXP USA Inc.
BFS17W,115
NXP USA Inc.
BFS17W,135
NXP USA Inc.
BFS505,115
NXP USA Inc.
BFS520,115
NXP USA Inc.
BFS520,135
NXP USA Inc.
BFS540,115
NXP USA Inc.
BFT92W,115
NXP USA Inc.
BFT93W,115
NXP USA Inc.
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
EP2C15AF256C6N
Intel
5SGXMB5R3F43I3N
Intel
EP4CGX30BF14I7N
Intel
A40MX02-3PL44
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C4N
Intel
EPF6024AQC240-2N
Intel