maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFR193L3E6327XTMA1
Référence fabricant | BFR193L3E6327XTMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFR193L3E6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFR193L3E6327XTMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 12V |
Fréquence - Transition | 8GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 12.5dB ~ 19dB |
Puissance - Max | 580mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-101, SOT-883 |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TSLP-3-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFR193L3E6327XTMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFR193L3E6327XTMA1-FT |
BFQ67W,115
NXP USA Inc.
BFQ67W,135
NXP USA Inc.
BFR92AW,115
NXP USA Inc.
BFR92AW,135
NXP USA Inc.
BFR93AW,115
NXP USA Inc.
BFR93AW,135
NXP USA Inc.
BFR94AW,115
NXP USA Inc.
BFS17W,115
NXP USA Inc.
BFS17W,135
NXP USA Inc.
BFS505,115
NXP USA Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP40-6FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG256M
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
AT6010H-2QI
Microchip Technology
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
5CEBA5U19C8N
Intel