maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFP780H6327XTSA1
Référence fabricant | BFP780H6327XTSA1 |
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Numéro de pièce future | FT-BFP780H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFP780H6327XTSA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 6.1V |
Fréquence - Transition | 900MHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.2dB ~ 2.4dB @ 900MHz ~ 3.5GHz |
Gain | 27dB |
Puissance - Max | 600mW |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 85 @ 90mA, 5V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 120mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SC-82A, SOT-343 |
Package d'appareils du fournisseur | SOT343-4-2 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFP780H6327XTSA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFP780H6327XTSA1-FT |
BFS17A,215
NXP USA Inc.
BFS17A,235
NXP USA Inc.
BFT92,215
NXP USA Inc.
BFT93,215
NXP USA Inc.
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
EX64-TQG100A
Microsemi Corporation
XA2S200E-6FT256I
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
XC7A35T-3FGG484E
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
5SGXEA7K3F35C4N
Intel
XC7VX330T-2FFG1157C
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF1508C4N
Intel
EPF10K50VBC356-3N
Intel