maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFG 235 E6327
Référence fabricant | BFG 235 E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BFG 235 E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFG 235 E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 5.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.7dB @ 900MHz |
Gain | 12.5dB |
Puissance - Max | 2W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 200mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 300mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG 235 E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFG 235 E6327-FT |
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-1CQ208B
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG256
Microsemi Corporation
APA600-CQ208B
Microsemi Corporation
A42MX09-VQ100A
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2X
Intel
5SGXMA3E3H29C4N
Intel
5SGXEA5H2F35I2LN
Intel
XC7K325T-L2FFG900E
Xilinx Inc.
10AX090H4F34I3LG
Intel