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Référence fabricant | BFG 19S E6327 |
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Numéro de pièce future | FT-BFG 19S E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFG 19S E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 5.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 14dB ~ 8.5dB |
Puissance - Max | 1W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 210mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG 19S E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFG 19S E6327-FT |
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
AFS600-1FGG484
Microsemi Corporation
APA600-FG484I
Microsemi Corporation
A3P250-FG256
Microsemi Corporation
10AX032E2F29E2SG
Intel
XC6VSX315T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-3PL84I
Microsemi Corporation
10AX066N4F40E3LG
Intel