maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFG 19S E6327
Référence fabricant | BFG 19S E6327 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-BFG 19S E6327 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFG 19S E6327 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 5.5GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 14dB ~ 8.5dB |
Puissance - Max | 1W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 70mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 210mA |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG 19S E6327 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFG 19S E6327-FT |
PBR941B,215
NXP USA Inc.
PBR951,215
NXP USA Inc.
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
A1425A-PQG100C
Microsemi Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-2FGG256
Microsemi Corporation
M1AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
10CL010YM164C6G
Intel
XC7A200T-1FF1156I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1BG329M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17I5N
Intel