maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFG135AE6327XT
Référence fabricant | BFG135AE6327XT |
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Numéro de pièce future | FT-BFG135AE6327XT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFG135AE6327XT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 6GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 9dB ~ 14dB |
Puissance - Max | 1W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG135AE6327XT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFG135AE6327XT-FT |
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
A54SX32A-2FG144
Microsemi Corporation
A1010B-2PLG68C
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27C7N
Intel
EP4SGX290FH29C3
Intel
5SGSED8N1F45I2N
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5SGSED8N3F45I3N
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5SGXEA9K2H40C3N
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LFE3-70EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C7N
Intel
5AGTMD3G3F31I3N
Intel