maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / BFG135AE6327XT
Référence fabricant | BFG135AE6327XT |
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Numéro de pièce future | FT-BFG135AE6327XT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
BFG135AE6327XT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 15V |
Fréquence - Transition | 6GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gain | 9dB ~ 14dB |
Puissance - Max | 1W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 100mA, 8V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 150mA |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-261-4, TO-261AA |
Package d'appareils du fournisseur | PG-SOT223-4 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BFG135AE6327XT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | BFG135AE6327XT-FT |
BFG198,115
NXP USA Inc.
BFG591,115
NXP USA Inc.
2N3866
Microsemi Corporation
2N3866A
Microsemi Corporation
MRF517
Microsemi Corporation
MRF544
Microsemi Corporation
MRF545
Microsemi Corporation
MRF586
Microsemi Corporation
MRF586G
Microsemi Corporation
MS1409
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-5SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1TQ144M
Microsemi Corporation
XC3S700AN-4FG484I
Xilinx Inc.
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-2N
Intel
10AX027H3F35E2SG
Intel
XC6SLX16-N3CSG225C
Xilinx Inc.
XC7A35T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A54SX16A-FGG144
Microsemi Corporation
LFXP6C-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation